Una ricerca condotta dal Laboratory of Nanoscale Electronics and Structures (LANES), ha rivelato infatti che la Molibdenite MoS2 è un semiconduttore dalle grandi potenzialità. Questo materiale, presente abbondantemente in natura, è frequentemente utilizzato come

La Molibdenite è un materiale a struttura bidimensionale, che si presenta sotto forma di fogli estremamente sottili e facili da utilizzare nella nanotecnologia. Rispetto al silicio, che ha una struttura tridimensionale, la Molibdenite offre un maggiore potenziale per la fabbricazione di transistor, LED e celle solari di dimensioni ridottissime. Basti pensare che in un foglio da 0,65 nanometri di spessore di Molibdenite gli elettroni possono muoversi facilmente come in un foglio di 2 nanometri di spessore di  silicio (in ogni caso, occorre sottolineare che al momento non è possibile fabbricare un foglio di silicio sottile come un foglio monostrato di MoS2).

Il vantaggio più sorprendente offerto dalla molibdenite è tuttavia la possibilità di essere utilizzata per fabbricare transistor con un ridottissimo consumo di energia in standby , inferiore di 100.000 rispetto ai transistor tradizionali di silicio. Questo è teoricamente possibile perché il gap di banda elettronica, caratteristica fondamentale dei semiconduttori, nel caso della molibdenite è di 1,8 eV (elettronvolt), un valore ideale per consentire il controllo del comportamento elettrico del transistor, che può essere acceso e spento facilmente e con ridotto dispendio energetico. Da questo punto di vista il materiale identificato dal Politecnico di Losanna appare molto più promettente del grafene, che essendo un “semi-metallo” non possiede naturalmente una gap di banda, cosa che ne limita fortemente l’impiego nella costruzione dei transistor.

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